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1. 中国锑化物半导体生产技术与发展前景报告（2025版）

内容简介： 第四代半导体材料器件技术的潜在目标材料体系主要包括：窄带隙的锑化镓（GaSb）与砷化铟（InAs）、超宽带隙的氧化镓（Ga2O3）与氮化铝（AlN）、各种低维碳基与二维材料。其中，锑化物

/gongyecailiaozhipin/xincailiao/2022-06-23/17888.html - 2025-03-02 - 新材料