中国锑化物半导体生产技术与发展前景报告（2024版）
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内容简介：
第四代半导体材料器件技术的潜在目标材料体系主要包括：窄带隙的锑化镓（GaSb）与砷化铟（InAs）、超宽带隙的氧化镓（Ga2O3）与氮化铝（AlN）、各种低维碳基与二维材料。其中，锑化物半导体材料是指以铝（Al）、镓（Ga）、铟（In）等Ⅲ族元素以及砷（As）、锑（Sb）等Ⅴ族元素为基础组成的二元、三元、四元及五元化合物材料，具有红外发光、能带可调的物理特性，是天然晶格匹配的材料体系，与传统的激光与探测材料相比，更是具有晶格匹配性好、均匀性好、单片基片尺寸大、半导体制备工艺兼容性高等独特优势，发展潜力巨大，在成像、遥感、传感、气体探测等诸多方面具有重要用途，同时也是国际同行公认的新一代红外中长波段激光、探测、半导体光电集成芯片的首选材料体系，为各种新型功能芯片器件的研究提供了极大的发展空间。
目前国内的锑化物超晶格探测器、量子阱激光器技术等正在步入产业化应用发展阶段。中科院半导体所研制的锑化镓衬底实现了2-3英寸直径衬底的量产，最大尺寸达到4英寸；同时，实现了2-3英寸直径、500-1000片/年的锑化物多功能低维材料外延晶圆的开发，研发了4英寸分子束外延技术，突破了国外封锁，保障了我国独立研发锑化物半导体技术的可持续性。
2024年之前，锑化镓在国内仅有少量企业生产，且以2英寸为主。2023年6月，青岛浩瀚全材半导体有限公司公司实现了4英寸锑化镓晶圆的批量化生产，这标志着我国锑化物半导体材料研发、生产的独立性向前迈进了一大步。
目前国内的锑化镓晶圆几乎全部应用于军工、航天，民用、工业推广难度依然很大。同时锑化物半导体行业标准苛刻、入行门槛高、研发成本高、开发周期长。但无论是技术创新的前沿性还是重大应用的迫切性，开展第四代半导体锑化物器件技术的研发与应用势在必行。
第一章 锑化物半导体行业概述
第一节 锑化物半导体定义
第二节 锑化物半导体发展历程
第二章 2024年中国锑化物半导体环境分析
第一节 我国经济发展环境分析
第二节 行业相关政策、法规、标准
第三章 中国锑化物半导体技术发展分析
第一节 当前中国锑化物半导体技术发展现况分析
第二节 中国锑化物半导体技术成熟度分析
第三节 中外锑化物半导体技术差距及其主要因素分析
第四节 提高中国锑化物半导体技术的策略
第四章 锑化物半导体市场特性分析
第一节 集中度锑化物半导体及预测
第二节 SWOT锑化物半导体及预测
一、优势锑化物半导体
二、劣势锑化物半导体
三、机会锑化物半导体
四、风险锑化物半导体
第三节 进入退出状况锑化物半导体及预测
第五章 中国锑化物半导体发展现状
第一节 锑化物半导体经济性评价及竞争分析
第二节 2023-2024年国内锑化物半导体装置
第三节 中国锑化物半导体市场需求分析及预测
第六章 2020-2024年锑化物半导体研究机构
第一节 中国科学院半导体研究所
一、企业概况
二、企业竞争优势分析
三、锑化物半导体研究进展分析
第二节 青岛浩瀚全材半导体有限公司
一、企业概况
二、企业竞争优势分析
三、锑化物半导体产业化分析
第七章 锑化物半导体投资建议
第一节 中国锑化物半导体投资机会
第二节 锑化物半导体投资进入壁垒分析
一、经济规模、必要资本量
二、准入政策、法规
三、技术壁垒
第三节 锑化物半导体投资建议
第八章 中国锑化物半导体未来发展预测及投资前景分析
第一节 未来锑化物半导体行业发展趋势分析
一、未来锑化物半导体行业发展分析
二、未来锑化物半导体行业技术开发方向
第二节 2024-2029年锑化物半导体行业相关趋势预测
第九章 业内专家对中国锑化物半导体投资的建议及观点
第一节 投资机遇锑化物半导体
第二节 投资风险锑化物半导体
一、政策风险
二、宏观经济波动风险
三、技术风险
四、其他风险
第三节 行业应对策略
